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元件参数资料
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参数目录49630
> PHD97NQ03LT,118 MOSFET N-CH TRENCH 25V SOT428
型号:
PHD97NQ03LT,118
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH TRENCH 25V SOT428
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
PHD97NQ03LT,118 PDF
标准包装
2,500
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
75A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
6.3 毫欧 @ 25A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
11.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1570pF @ 12V
功率 - 最大
107W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
带卷 (TR)
其它名称
934061139118
查看PHD97NQ03LT,118代理商
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